村田硅電容器的結(jié)構(gòu)

利用干法蝕刻技術(shù)的BOSCH工藝。BOSCH工藝是硅加工特有的技術(shù)，它可以讓通過SF6氣體進行蝕刻和通過C4F8形成保護膜高速重復，從而實現(xiàn)高縱橫比蝕刻。

村田硅電容器的特點

硅電容器采用村田獨家技術(shù)通過深溝槽及三角架支柱的結(jié)構(gòu)，獲得了比平面結(jié)構(gòu)大100倍的電極表面積，實現(xiàn)了緊湊封裝。另外，因為硅電容器的電介質(zhì)使用了溫度補償類材料，所以在實際使用條件下容量不會減少，達到了上下電極式小型產(chǎn)品領(lǐng)域中的最大級別靜電容量密度。

村田硅電容伴隨高速大容量通信技術(shù)而來的信號寬帶化及挑戰(zhàn)

為了達到伴隨高速大容量通信，村田代理商智成電子如何利用比現(xiàn)行帶寬高數(shù)倍至數(shù)十倍的帶寬已成為一大研究課題。但眾所周知，若以大功率輸出寬帶信號，功率放大器模塊（PAM）內(nèi)將會出現(xiàn)互調(diào)失真（IMD）問題，降低信號完整性。IMD的頻率與帶寬成正比例關(guān)系，2階IMD中造成問題的頻率在Sub6GHz中最大達到400MHz，在毫米波中則達到數(shù)GHz。

應用對象：基站的射頻功率放大器模塊

村田硅電容去耦解決方案

村田代理商深圳智成以下將介紹消除二階IMD的方法。IMD的低頻段可通過與場效應管的漏極相連的偏置電路消除，但是IMD的高頻段因為受到用于RF-Blocking的微帶線等的影響，難以在功率放大器模塊外消除。在此要介紹的方法就是，將硅電容器（Si-Cap）直接用于功率放大器模塊內(nèi)的金屬基板上，通過打線方式將硅電容與FET連接。
通過這種方法，利用在實際使用條件下能夠保持大容量的小型硅電容器，可以在功率放大器模塊的有限空間內(nèi)消除IMD。

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